SUD08P06-155L-T4E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD08P06-155L-T4E3概述

MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK

表面贴装型 P 通道 8.4A（Tc） 1.7W（Ta），20.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252

贸泽:
MOSFET

SUD08P06-155L-T4E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.7W Ta, 20.8W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 450pF @25VVds

耗散功率Max 1.7W Ta, 20.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD08P06-155L-T4E3

型号： SUD08P06-155L-T4E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK

替代型号SUD08P06-155L-T4E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUD08P06-155L-T4E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUD08P06-155L-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SUD08P06-155L-T4E3和SUD08P06-155L-GE3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SUD08P06-155L-T4E3

Vishay Siliconix

当前型号

SUD08P06-155L-GE3

Vishay Siliconix

完全替代