SIR642DP-T1-GE3

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SIR642DP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 60A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK® SO-8


得捷:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8


SIR642DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 4.8W Ta, 41.7W Tc

阈值电压 1.2 V

输入电容Ciss 4155pF @20VVds

耗散功率Max 4.8W Ta, 41.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR642DP-T1-GE3
型号: SIR642DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

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