SI1307EDL-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI1307EDL-T1-GE3图片1

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SI1307EDL-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3

表面贴装型 P 通道 12 V 850mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3

得捷:
MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

贸泽:
MOSFET

SI1307EDL-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 290mW Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 290mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1307EDL-T1-GE3

型号： SI1307EDL-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3

替代型号SI1307EDL-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
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