SIE800DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE800DF-T1-GE3概述

MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK®（S）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK

贸泽:
MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V

SIE800DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 104W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE800DF-T1-GE3

型号： SIE800DF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V

替代型号SIE800DF-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

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SIE800DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

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SIE800DF-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代

SI7658ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

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