SI4836DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI4836DY-T1-GE3图片1

SI4836DY-T1-GE3图片2

SI4836DY-T1-GE3图片3

SI4836DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

N-Channel 12V 17A Ta 1.6W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO

SI4836DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.6W Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4836DY-T1-GE3

型号： SI4836DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

替代型号SI4836DY-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4836DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI4836DY-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代

SI4836DY-T1-GE3和SI4836DY-T1-E3的区别

SI4838BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替

SI4836DY-T1-GE3和SI4838BDY-T1-GE3的区别