SUD50N04-16P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50N04-16P-E3概述

MOSFET N-CH 40V 9.8A TO252

表面贴装型 N 通道 40 V 9.8A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），35.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252

SUD50N04-16P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 35.7W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 1655pF @20VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 35.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N04-16P-E3

型号： SUD50N04-16P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 9.8A TO252

替代型号SUD50N04-16P-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUD50N04-16P-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SUD50N04-16P-E3和SUD50N04-8M8P-4GE3的区别

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Vishay Siliconix

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SUD50N04-8M8P-4GE3

Vishay Siliconix

功能相似