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SI5473DC-T1-GE3概述

MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 5.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

贸泽:
MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V

SI5473DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.3W Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1206

外形尺寸

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5473DC-T1-GE3

型号： SI5473DC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V

替代型号SI5473DC-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI5473DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI5475DDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

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SI5473DC-T1-GE3和SI5475DDC-T1-GE3的区别