SI7407DN-T1-GE3

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SI7407DN-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8

P-Channel 12V 9.9A Ta 1.5W Ta Surface Mount PowerPAK® 1212-8


得捷:
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8


SI7407DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7407DN-T1-GE3
型号: SI7407DN-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
替代型号SI7407DN-T1-GE3
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