SI4858DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4858DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

N-Channel 30V 13A Ta 1.6W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

贸泽:
MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W

SI4858DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.6W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4858DY-T1-E3

型号： SI4858DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC