SUD50N10-18P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50N10-18P-E3概述

MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V

N-Channel 100V 8.2A Ta, 50A Tc 3W Ta, 136.4W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252

贸泽:
MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V

SUD50N10-18P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3W Ta, 136.4W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2600pF @50VVds

耗散功率Max 3W Ta, 136.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N10-18P-E3

型号： SUD50N10-18P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V

替代型号SUD50N10-18P-E3

型号/品牌

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替代型号对比

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Vishay Siliconix

完全替代

SUD35N10-26P-E3

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