SI4411DY-T1-E3

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SI4411DY-T1-E3概述

MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

表面贴装型 P 通道 9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO


SI4411DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4411DY-T1-E3
型号: SI4411DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

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