SI4483EDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4483EDY-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

表面贴装型 P 通道 30 V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

SI4483EDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 14 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.5W Ta

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -14.0 A

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4483EDY-T1-GE3

型号： SI4483EDY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

替代型号SI4483EDY-T1-GE3

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完全替代

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