SI7160DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7160DP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

N-Channel 30V 20A Tc 5W Ta, 27.7W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 30V 20A 27.7W

SI7160DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5W Ta, 27.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2970pF @15VVds

耗散功率Max 5W Ta, 27.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7160DP-T1-E3

型号： SI7160DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

替代型号SI7160DP-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7160DP-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7748DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI7160DP-T1-E3和SI7748DP-T1-GE3的区别

型号/品牌

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SI7160DP-T1-E3

Vishay Siliconix

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SI7748DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

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