SIB412DK-T1-GE3

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SIB412DK-T1-GE3概述

MOSFET 20V 9A 13W 34mohm @ 4.5V

表面贴装型 N 通道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK® SC-75-6L 单


得捷:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6


贸泽:
MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V


SIB412DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2.4W Ta, 13W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -4.50 A

上升时间 16.0 ns

输入电容Ciss 535pF @10VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC75-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC75-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB412DK-T1-GE3
型号: SIB412DK-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 20V 9A 13W 34mohm @ 4.5V
替代型号SIB412DK-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SIB412DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

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