SUD50N02-04P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50N02-04P-E3概述

MOSFET N-CH 20V 50A DPAK

N-Channel 20V 50A Tc 8.3W Ta, 136W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 20V 50A TO252

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 20V DPAK

SUD50N02-04P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 8.3W Ta, 136W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 5000pF @10VVds

耗散功率Max 8.3W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N02-04P-E3

型号： SUD50N02-04P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 50A DPAK