SI1470DH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1470DH-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6

N-Channel 30V 5.1A Tc 1.5W Ta, 2.8W Tc Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V SC-70-6

SI1470DH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.5W Ta, 2.8W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 510pF @15VVds

耗散功率Max 1.5W Ta, 2.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1470DH-T1-GE3

型号： SI1470DH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6

替代型号SI1470DH-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1470DH-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1470DH-T1-GE3和SI1470DH-T1-E3的区别

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SI1470DH-T1-GE3

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SI1470DH-T1-E3

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