SUD50N10-18P-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50N10-18P-GE3概述

MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK

N-Channel 100V 8.2A Ta, 50A Tc 3W Ta, 136.4W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252

DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V DPAK

SUD50N10-18P-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3W Ta, 136.4W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2600pF @50VVds

耗散功率Max 3W Ta, 136.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N10-18P-GE3

型号： SUD50N10-18P-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK

替代型号SUD50N10-18P-GE3

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SUD35N10-26P-E3

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