SUD50N02-09P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50N02-09P-E3概述

MOSFET N-CH 20V DPAK

N-Channel 20V 6.5W Ta, 39.5W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 20V TO252

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 20V DPAK

SUD50N02-09P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 6.5W Ta, 39.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1300pF @10VVds

耗散功率Max 6.5W Ta, 39.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SUD50N02-09P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V DPAK