SI1046R-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1046R-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 20V 606mA SC75-3

表面贴装型 N 通道 20 V 606mA（ Ta） 250mW（Ta） SC-75A

得捷:
MOSFET N-CH 20V SC75A

SI1046R-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 606 mA

输入电容Ciss 66pF @10VVds

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1046R-T1-GE3

型号： SI1046R-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 606mA SC75-3

替代型号SI1046R-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1046R-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI1046R-T1-GE3和SI1046R-T1-E3的区别
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1046R-T1-GE3和SI1012CR-T1-GE3的区别
SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1046R-T1-GE3和SI1012R-T1-E3的区别