SI4409DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4409DY-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

P-Channel 150V 1.3A Tc 2.2W Ta, 4.6W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 150V 8-SOIC

SI4409DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.2W Ta, 4.6W Tc

漏源极电压Vds 150 V

输入电容Ciss 332pF @50VVds

耗散功率Max 2.2W Ta, 4.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4409DY-T1-GE3

型号： SI4409DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

替代型号SI4409DY-T1-GE3

型号/品牌

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