SI1417EDH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI1417EDH-T1-GE3图片1

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SI1417EDH-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6

表面贴装型 P 通道 12 V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）

得捷:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET P-CH 12V SC-70-6

SI1417EDH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1417EDH-T1-GE3

型号： SI1417EDH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6

替代型号SI1417EDH-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1417EDH-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1417EDH-T1-GE3和SI1417EDH-T1-E3的区别
NTJS3151PT1G 安森美	功能相似	SI1417EDH-T1-GE3和NTJS3151PT1G的区别
NTJS3151PT2G 安森美	功能相似	SI1417EDH-T1-GE3和NTJS3151PT2G的区别