SI8445DB-T2-E1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8445DB-T2-E1概述

MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT

P-Channel 20V 9.8A Tc 1.8W Ta, 11.4W Tc Surface Mount 4-Microfoot

得捷:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT

SI8445DB-T2-E1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.8W Ta, 11.4W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -9.80 A

输入电容Ciss 700pF @10VVds

耗散功率Max 1.8W Ta, 11.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 XFBGA-4

外形尺寸

封装 XFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8445DB-T2-E1

型号： SI8445DB-T2-E1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT