SI1058X-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1058X-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 20V SC89

N-Channel 20V 236mW Ta Surface Mount SC-89-6

得捷:
MOSFET N-CH 20V SC89-6

SI1058X-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 236mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.30 A

输入电容Ciss 380pF @10VVds

耗散功率Max 236mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1058X-T1-GE3

型号： SI1058X-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V SC89

替代型号SI1058X-T1-GE3

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1058

Vishay Intertechnology

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