SI5433BDC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5433BDC-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

P-Channel 20V 4.8A Ta 1.3W Ta Surface Mount 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8

SI5433BDC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.3W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5433BDC-T1-GE3

型号： SI5433BDC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

替代型号SI5433BDC-T1-GE3