SIB413DK-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIB413DK-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

表面贴装型 P 通道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK® SC-75-6L 单

得捷:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

SIB413DK-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2.4W Ta, 13W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -9.00 A

上升时间 46.0 ns

输入电容Ciss 357pF @10VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-75-6L

外形尺寸

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB413DK-T1-GE3

型号： SIB413DK-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

替代型号SIB413DK-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIB413DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SIB413DK-T1-GE3和SIB433EDK-T1-GE3的区别

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