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SIR888DP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

SIR888DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 5W Ta, 48W Tc

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

输入电容Ciss 5065pF @15VVds

耗散功率Max 5W Ta, 48W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR888DP-T1-GE3

型号： SIR888DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

替代型号SIR888DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

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