SI7186DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7186DP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

N-Channel 80V 32A Tc 5.2W Ta, 64W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIR880ADP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 5.2W Ta, 64W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

输入电容Ciss 2840pF @40VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 64W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7186DP-T1-GE3

型号： SI7186DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8

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