SIB419DK-T1-GE3概述
MOSFET 12V 9A 13.1W 60mohm @ 4.5V
表面贴装型 P 通道 9A（Tc） 2.45W（Ta），13.1W（Tc） PowerPAK® SC-75-6L 单
得捷:
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
贸泽:
MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V
SIB419DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
耗散功率 2.45W Ta, 13.1W Tc
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids -9.00 A
上升时间 42.0 ns
输入电容Ciss 562pF @6VVds
耗散功率Max 2.45W Ta, 13.1W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-75-6L
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-6L
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIB419DK-T1-GE3