SI1065X-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1065X-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

表面贴装型 P 通道 1.18A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6

得捷:
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

SI1065X-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 236mW Ta

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 1.18 A

输入电容Ciss 480pF @6VVds

耗散功率Max 236mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1065X-T1-GE3

型号： SI1065X-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

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