SI7601DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7601DN-T1-GE3概述

MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V

P-Channel 20V 16A Tc 3.8W Ta, 52W Tc Surface Mount PowerPAK® 1212-8

得捷:
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8

贸泽:
MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V

SI7601DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 3.8W Ta, 52W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -16.0 A

输入电容Ciss 1870pF @10VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7601DN-T1-GE3

型号： SI7601DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V