SIR840DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIR840DP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 - - PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

SIR840DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 -

漏源极电压Vds 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR840DP-T1-GE3

型号： SIR840DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8