MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
表面贴装型 P 通道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单
得捷:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
极性 P-Channel
耗散功率 3.5W Ta, 19W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
输入电容Ciss 1500pF @10VVds
耗散功率Max 3.5W Ta, 19W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIA419DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SIA419DJ-T1-GE3和SIA429DJT-T1-GE3的区别 |
SIA411DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SIA419DJ-T1-GE3和SIA411DJ-T1-GE3的区别 |
SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SIA419DJ-T1-GE3和SIA411DJ-T1-E3的区别 |