SI7802DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI7802DN-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

表面贴装型 N 通道 1.24A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8

得捷:
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK

SI7802DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 250 V

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI7802DN-T1-GE3

型号： SI7802DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

替代型号SI7802DN-T1-GE3

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SI7802DN-T1-GE3和SI7802DN-T1-E3的区别