SI1046X-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI1046X-T1-GE3图片1

SI1046X-T1-GE3图片2

SI1046X-T1-GE3概述

MOSFET 20V 606mA 0.25W1/4W 420mohm @ 4.5V

表面贴装型 N 通道 20 V 606mA（ Ta） 250mW（Ta） SC-89-3

得捷:
MOSFET N-CH 20V SC89-3

SI1046X-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 606 mA

输入电容Ciss 66pF @10VVds

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-3

外形尺寸

封装 SC-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1046X-T1-GE3

型号： SI1046X-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 606mA 0.25W1/4W 420mohm @ 4.5V

替代型号SI1046X-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI1046X-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI1012X-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替

SI1046X-T1-GE3和SI1012X-T1-GE3的区别