SI5406DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI5406DC-T1-E3概述

MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

表面贴装型 N 通道 6.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5418DU-T1-GE3

SI5406DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.3W Ta

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 6.90 A

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1206

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5406DC-T1-E3

型号： SI5406DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

替代型号SI5406DC-T1-E3

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