SI4825DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI4825DY-T1-GE3图片1

SI4825DY-T1-GE3图片2

SI4825DY-T1-GE3图片3

SI4825DY-T1-GE3图片4

SI4825DY-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC

表面贴装型 P 通道 30 V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC

得捷:
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO

SI4825DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -11.5 A

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4825DY-T1-GE3

型号： SI4825DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC

替代型号SI4825DY-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4825DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI4825DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替

SI4825DY-T1-GE3和SI4825DDY-T1-GE3的区别