SIA814DJ-T1-GE3

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SIA814DJ-T1-GE3概述

MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 30 V 4.5A(Tc) 1.9W(Ta),6.5W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 双


得捷:
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6


贸泽:
MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V


SIA814DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.9W Ta, 6.5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

输入电容Ciss 340pF @10VVds

耗散功率Max 1.9W Ta, 6.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA814DJ-T1-GE3
型号: SIA814DJ-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V
替代型号SIA814DJ-T1-GE3
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