SI7366DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7366DP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

N-Channel 20V 13A Ta 1.7W Ta Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR424DP-GE3

SI7366DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.7W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7366DP-T1-E3

型号： SI7366DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

替代型号SI7366DP-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI7366DP-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

完全替代

SIR424DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替