SI5857DU-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5857DU-T1-E3概述

MOSFET 20V 6A 10.4W 58mohm @ 4.5V

P-Channel 20V 6A Tc 2.3W Ta, 10.4W Tc Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

得捷:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

贸泽:
MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V

SI5857DU-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.3W Ta, 10.4W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 480pF @10VVds

耗散功率Max 2.3W Ta, 10.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAK-ChipFET-Dual-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.8 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-ChipFET-Dual-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5857DU-T1-E3

型号： SI5857DU-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 6A 10.4W 58mohm @ 4.5V