SUM33N20-60P-E3概述
MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK
表面贴装型 N 通道 33A（Tc） 3.12W（Ta），156W（Tc） TO-263（D2Pak）
得捷:
MOSFET N-CH 200V 33A TO263
SUM33N20-60P-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 49 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.12 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
输入电容Ciss 2735pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.12W Ta, 156W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
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