SIA411DJ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA411DJ-T1-E3概述

MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V

P-Channel 20V 12A Tc 3.5W Ta, 19W Tc Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

得捷:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIA429DJT-T1-GE3

SIA411DJ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.5W Ta, 19W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1200pF @10VVds

耗散功率Max 3.5W Ta, 19W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA411DJ-T1-E3

型号： SIA411DJ-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V

替代型号SIA411DJ-T1-E3