SI8435DB-T1-E1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8435DB-T1-E1概述

MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP

P-Channel 20V 10A Tc 2.78W Ta, 6.25W Tc Surface Mount 4-Microfoot

得捷:
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI8475EDB-T1-E1

SI8435DB-T1-E1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.78W Ta, 6.25W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1600pF @10VVds

耗散功率Max 2.78W Ta, 6.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.65 mm

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8435DB-T1-E1

型号： SI8435DB-T1-E1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP

替代型号SI8435DB-T1-E1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	功能相似	SI8435DB-T1-E1和SI8475EDB-T1-E1的区别

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