SI5853DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5853DC-T1-E3概述

MOSFET 20V 3.6A 2.1W

P-Channel 20V 2.7A Ta 1.1W Ta Surface Mount 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5855CDC-E3

SI5853DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 110 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.1W Ta

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -3.60 A

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 ChipFET-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 ChipFET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5853DC-T1-E3

型号： SI5853DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 3.6A 2.1W

替代型号SI5853DC-T1-E3