SIB411DK-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIB411DK-T1-E3概述

MOSFET 20V 9A 13W 66mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK® SC-75-6L 单

得捷:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

贸泽:
MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V

SIB411DK-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.4W Ta, 13W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 470pF @10VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAK-SC75-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC75-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB411DK-T1-E3

型号： SIB411DK-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 9A 13W 66mohm @ 4.5V

替代型号SIB411DK-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIB411DK-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIB411DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SIB411DK-T1-E3和SIB411DK-T1-GE3的区别
SIB455EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SIB411DK-T1-E3和SIB455EDK-T1-GE3的区别
SIB441EDK-T1-GE3 Vishay Intertechnology	功能相似	SIB411DK-T1-E3和SIB441EDK-T1-GE3的区别