SIA443DJ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA443DJ-T1-E3概述

MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

P-Channel 20V 9A Tc 3.3W Ta, 15W Tc Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

得捷:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

SIA443DJ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.3W Ta, 15W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 750pF @10VVds

耗散功率Max 3.3W Ta, 15W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA443DJ-T1-E3

型号： SIA443DJ-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

替代型号SIA443DJ-T1-E3

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