SI5482DU-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5482DU-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

表面贴装型 N 通道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK® ChipFET 单通道

得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

SI5482DU-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 31W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1610pF @15VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 31W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5482DU-T1-E3

型号： SI5482DU-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

替代型号SI5482DU-T1-E3