SIA810DJ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA810DJ-T1-E3概述

MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V

N-Channel 20V 4.5A Tc 1.9W Ta, 6.5W Tc Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

贸泽:
MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V

SIA810DJ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.9W Ta, 6.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 400pF @10VVds

额定功率Max 6.5 W

耗散功率Max 1.9W Ta, 6.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA810DJ-T1-E3

型号： SIA810DJ-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V