SI1472DH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1472DH-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6

N-Channel 30V 5.6A Tc 1.5W Ta, 2.8W Tc Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6

SI1472DH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.5W Ta, 2.8W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

输入电容Ciss 380pF @15VVds

耗散功率Max 1.5W Ta, 2.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1472DH-T1-E3

型号： SI1472DH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6