SI4336DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI4336DY-T1-E3图片1

SI4336DY-T1-E3图片2

SI4336DY-T1-E3图片3

SI4336DY-T1-E3图片4

SI4336DY-T1-E3图片5

SI4336DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

表面贴装型 N 通道 30 V 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4626ADY-E3

SI4336DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.6W Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 5600pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4336DY-T1-E3

型号： SI4336DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

替代型号SI4336DY-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4336DY-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI4336DY-E3

Vishay Intertechnology

功能相似

SI4336DY-T1-E3和SI4336DY-E3的区别