SI1058X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1058X-T1-E3概述

MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

表面贴装型 N 通道 20 V 1.3A（Ta） 236mW（Ta） SC-89-6

得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6

SI1058X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 236mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 380pF @10VVds

耗散功率Max 236mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1058X-T1-E3

型号： SI1058X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

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SI1058X-T1-E3和SI1058X-T1-GE3的区别